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:以下关于IGBT说法错误的是( )。 A:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构B:IGBT工作在开关状态,是在正向阻断区和饱和区之间来回转换C:IGBT开关速度高于电力MOSFETD:IGBT与电力MOSFET一样,是一种场控器件答案: IGBT开关速度高于电力MOSFET16、
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